El Derecho y la interferencia electromagnética de Moore

tecnologías de transistores State-of-the-art traer densidad de potencia sin igual y la eficiencia de una gran variedad de aplicaciones de conversión de energía. El cargo implacable el proceso de semiconductores tecnología de la hoja de ruta garantías velocidad de conmutación cada vez más rápido (dv /dt) y una consecuencia no deseada, la interferencia electromagnética (EMI).

Moore &'; s la Ley ha sido por mucho tiempo. En pocas palabras se predice que el número de puertas disponibles en un área de silicio fijo se duplicará cada 18 meses basado en el avance continuo de los nodos de tecnología de proceso de semiconductores. Un complemento de Moore &'; s Ley, ideado por Robert Dennard, y se refirió a como Dennard y' s Escala, dice que a medida que los transistores se reducen sistemáticamente en tamaño, que aumenta su velocidad y su consumo de energía se reduce. Conmutación rápido (dV /dT), produce más ruido en forma de EMI. Se puede argumentar, por tanto, que el ruido de las escalas con Moore &'; s Ley. Hasta este ciclo se rompe, cuando los transistores en su forma actual no se pueden hacer ni más pequeños, el uso de filtros EMI en aplicaciones de conversión de energía aumentará drásticamente en la próxima década.

Los inversores están en un período de rápido crecimiento impulsado por la demanda en los mercados de energía alternativas como la fotovoltaica, eólica, y los vehículos eléctricos. Inversores y unidades industriales también están viendo un mayor uso en el ciclo de sustitución de fuentes de energía existentes en productos como acondicionadores de aire, equipo de soldadura, herramientas de corte y control de movimiento. La potencia necesaria para conmutar el IGBT o MOSFET moderna día se está acercando a cero, por lo que estos dispositivos candidatos ideales para topologías de inversor y de potencia de accionamiento industrial. Aunque la firma EMI /RFI de un dispositivo de transistor independiente puede ser cuantificado en el laboratorio no es muy útil para el diseñador del sistema. La forma en que se utilizan estos chips y módulos y donde se colocan dentro del sistema son mucho más determinista de las emisiones resultantes producidos. Blindaje y el aislamiento físico de las fuentes de energía infractor pueden reducir o eliminar las emisiones radiadas en la mayoría de los casos. Tierra sólida es fundamental en el control de EMI conducida
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Mientras que las prácticas de diseño buen sistema pueden mitigar la mayoría de los problemas con las emisiones conducidas y radiadas, EMI a menudo se descubre y se identificó a finales de la fase de diseño. Electrónica digital de baja tensión y de analógico a digital de convertidores son particularmente susceptibles en estos ambientes ruidosos. El precio de la mala práctica de diseño puede dar lugar a errores de bit o de lógica y derivas de referencia de voltaje que pueden producir condiciones aberrantes o incluso peligrosas. Una vez identificados en el laboratorio, EMI puede ser llevado bajo control con el uso de filtrado de línea de potencia a la entrada de CA y en algunos casos también en la salida de CC. Se debe tener cuidado para asegurarse de que el filtro especificado está dentro de los presupuestos de corriente de fuga y que la unidad no introduce capacitancia excesiva a tierra en sistemas que no pueden tolerar. Los costos pueden ser contenidos mediante la participación con un fabricante de filtros que tiene la capacidad para llevar a cabo las pruebas de pre-cumplimiento de las emisiones realizadas en productos y sistemas de los clientes. Al poner a prueba el sistema fin en casa, el cliente se le concede una solución de filtro optimizado, de ingeniería no más, sea en la forma de una oferta de productos estándar o uno personalizado adaptado específicamente para la aplicación.

Moore &'; s la ley se estima que es válido durante al menos otros diez años, después de lo cual las nuevas arquitecturas de transistores y materiales de sustrato se pueden introducir con completamente diferentes atributos. Hasta entonces, los diseñadores de sistemas de próxima generación basados ​​en estos transistores de silicio cada vez más reducido sería prudente considerar los problemas y las posibles soluciones EMI temprano en la fase de diseño Hotel  .;